図4 は, 図3 の時間軸を498ms~500ms間の拡大したプロットです. 図4 図3の時間軸を拡大(498ms? 500ms間) 図4 は,時間軸を拡大したプロットのため,OUTの発振波形が正弦波になっています.負側の発振振幅の最大値は,約「V GS =-1V」からD 1 がONする順方向電圧「V D1 =0. 37V」だけ下がった電圧となります.正側の最大振幅は,負側の電圧の極性が変わった値なので,発振振幅が「±(V GS -V D1)=±1. 37V」となります. 図5 は, 図3 のOUTの発振波形をFFTした結果です.発振周波数は式1の「R=10kΩ,C=0. 01μF」としたときの周波数「f o =1. 6kHz」となり,高調波ひずみが少ない正弦波の発振であることが分かります. 図5 図3のFFT結果(400ms~500ms間) ●AGCにコンデンサやJFETを使わない回路 図1 のAGCは,コンデンサやNチャネルJFETが必要でした.しかし, 図6 のようにダイオード(D 1 とD 2)のON/OFFを使って回路のゲインを「G=3」に自動で調整するウィーン・ブリッジ発振回路も使われています.ここでは,この回路のゲイン設定と発振振幅について検討します. 図6 AGCにコンデンサやJFETを使わない回路 図6 の回路でD 1 とD 2 がOFFとなる小さな発振振幅のときは,発振を成長させるために回路のゲインを「G 1 >3」にします.これより式2の条件が成り立ちます. 図6 では回路の抵抗値より「G 1 =3. 1」に設定しました. ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(2) 発振が成長してD 1 とD 2 がONするOUTの電圧になると,発振振幅を抑制するために回路のゲインを「G 2 <3」にします.D 1 とD 2 のオン抵抗を0Ωと仮定して計算を簡単にすると式3の条件となります. 図6 では回路の抵抗値より「G 2 =2. 8」に設定しました. ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(3) 次に発振振幅について検討します.発振を継続させるには「G=3」の条件なので,OPアンプの反転端子の電圧をv a とすると,発振振幅v out との関係は式4となります. ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(4) また,R 2 とR 5 の接続点の電圧をvbとすると,その電圧はv a にR 2 の電圧効果を加えた電圧なので,式5となります.
■問題 発振回路 ― 中級 図1 は,AGC(Auto Gain Control)付きのウィーン・ブリッジ発振回路です.この回路は発振が成長して落ち着くと,正側と負側の発振振幅が一定になります.そこで,発振振幅が一定を表す式は,次の(a)~(d)のうちどれでしょうか. 図1 AGC付きウィーン・ブリッジ発振回路 Q 1 はNチャネルJFET. (a) ±(V GS -V D1) (b) ±V D1 (c) ±(1+R 2 /R 1)V D1 (d) ±(1+R 2 /(R 1 +R DS))V D1 ここで,V GS :Q 1 のゲート・ソース電圧,V D1 :D 1 の順方向電圧,R DS :Q 1 のドレイン・ソース間の抵抗 ■ヒント 図1 のD 1 は,OUTの電圧が負になったときダイオードがONとなるスイッチです.D 1 がONのときのOUTの電圧を検討すると分かります. ■解答 図1 は,LTspice EducationalフォルダにあるAGC付きウィーン・ブリッジ発振回路です.この発振回路は,Q 1 のゲート・ソース電圧によりドレイン・ソース間の抵抗が変化して発振を成長させたり抑制したりします.また,AGCにより,Q 1 のゲート・ソース電圧をコントロールして発振を継続するために適したゲインへ自動調整します.発振が落ち着いたときのQ 1 のゲート・ソース電圧は,コンデンサ(C 3)で保持され,ドレイン・ソース間の抵抗は一定になります. 負側の発振振幅の最大値は,ダイオード(D 1)がONしたときで,Q 1 のゲート・ソース間電圧からD 1 の順方向電圧を減じた「V GS -V D1 」となります.正側の発振振幅の最大値は,D 1 がOFFのときです.しかし,C 3 によりQ 1 のゲート・ソース間は保持され,発振を継続するために適したゲインと最大振幅の条件を保っています.この動作により正側の発振振幅の最大値は負側の最大値の極性が変わった「-(V GS -V D1)」となります.以上より,発振が落ち着いたときの振幅は,(a) ±(V GS -V D1)となります. ●ウィーン・ブリッジ発振回路について 図2 は,ウィーン・ブリッジ発振回路の原理図を示します.ウィーン・ブリッジ発振回路は,コンデンサ(C)と抵抗(R)からなるバンド・パス・フィルタ(BPF)とG倍のゲインを持つアンプで正帰還ループを構成した発振回路となります.
(b)20kΩ 図1 のウィーン・ブリッジ発振回路が発振するためには,正帰還のループ・ゲインが1倍のときです.ループ・ゲインは帰還率(β)と非反転増幅器のゲイン(G)の積となります.|Gβ|=1とする非反転増幅器のゲインを求め,R 3 は10kΩと決まっていますので,非反転増幅器のゲインの式よりR 4 を計算すれば求まります.まず, 図1 の抵抗(R 1 ,R 2 )が10kΩ,コンデンサ(C 1 ,C 2 )が0. 01μFを用い,周波数(ω)が「1/CR=10000rad/s」でのRC直列回路とRC並列回路のインピーダンスを計算し,|β(s)|を求めます. R 1 とC 1 のRC直列回路のインピーダンスZ a は,式1であり,その値は式2となります. ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(1) ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(2) 次にR 2 とC 2 のRC並列回路のインピーダンスZ b は式3であり,その値は式4となります. ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(3) ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(4) 帰還率βは,|Z a |と|Z b |より,式5となります. ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(5) 式5より「ω=10000rad/s」のときの帰還率は「|β|=1/3」となり,減衰しています.したがって,|Gβ|=1とするには,式6の非反転増幅器のゲインが必要となります. ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(6) 式6でR 3 は10kΩであることから,R 4 が20kΩとなります. ■解説 ●正帰還の発振回路はループ・ゲインと位相が重要 図2(a) は発振回路のブロック図で, 図2(b) がウィーン・ブリッジ発振回路の等価回路図です.正帰還を使う発振回路は,正帰還ループのループ・ゲインと位相が重要です. 図2(a) で正弦波の発振を持続させるためには,ループ・ゲインが1倍で,位相が0°の場合,正弦波の発振条件になるからです. 図2(a) の帰還率β(jω)の具体的な回路が, 図2(b) のRC直列回路とRC並列回路に相当します.また,Gのゲインを持つ増幅器は, 図1 のOPアンプとR 3 ,R 4 からなる非反転増幅器です.このようにウィーン・ブリッジ発振回路は,正弦波出力となるように正帰還を調整した発振回路です.
図2 ウィーン・ブリッジ発振回路の原理 CとRによる帰還率(β)は,式1のBPFの中心周波数(fo)でゲインが1/3倍になります. ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(1) 正帰還の発振を継続させるための条件は,ループ・ゲインが「Gβ=1」です.なので,アンプのゲインは「G=3」に設定します. 図1 ではQ 1 のドレイン・ソース間の抵抗(R DS)を約100ΩになるようにAGCが動作し,OPアンプ(U 1)やR 1 ,R 2 ,R DS からなる非反転アンプのゲインが「G=1+R 1 /(R 2 +R DS)=3」になるように動作しています.発振周波数や帰還率の詳しい計算は「 LTspiceアナログ電子回路入門 ―― ウィーン・ブリッジ発振回路が適切に発振する抵抗値はいくら? 」を参照してください. ●AGC付きウィーン・ブリッジ発振回路のシミュレーション 図3 は, 図1 を過渡解析でシミュレーションした結果です. 図3 は時間0sからのOUTの発振波形の推移,Q 1 のV GS の推移(AGCラベルの電圧),Q 1 のドレイン電圧をドレイン電流で除算したドレイン・ソース間の抵抗(R DS)の推移をプロットしました. 図3 図2のシミュレーション結果 図3 の0s~20ms付近までQ 1 のV GS は,0Vです.Q 1 は,NチャネルJFETなので「V GS =0V」のときONとなり,ドレイン・ソース間の抵抗が「R DS =54Ω」となります.このとき,回路のゲインは「G=1+R 1 /(R 2 +R DS)=3. 02」となり,発振条件のループ・ゲインが1より大きい「Gβ>1」となるため発振が成長します. 発振が成長するとD 1 がONし,V GS はC 3 とR 5 で積分した負の電圧になります.V GS が負の電圧になるとNチャネルJFETに流れる電流が小さくなりR DS が大きくなります.この動作により回路のゲインが「G=3」になる「R DS =100Ω」の条件に落ち着き,負側の発振振幅の最大値は「V GS -V D1 」となります.正側の発振振幅のときD 1 はOFFとなり,C 3 によりQ 1 のゲート・ソース間は保持されて発振を継続するために適したゲインと最大振幅の条件を保ちます.このため正側の発振振幅の最大値は「-(V GS -V D1)」となります.
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(5) 発振が落ち着いているとき,R 1 の電流は,R 5 とR 6 の電流を加えた値なので式6となります. ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(6) i R1 ,i R5 ,i R6 の各電流を式4と式5の電圧と回路の抵抗からオームの法則で求め,式6へ代入して整理すると発振振幅は式7となります.ここでV D はD 1 とD 2 がONしたときの順方向電圧です. ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(7) 図6 のダイオードと 図1 のダイオードは,同じダイオードなので,順方向電圧を 図4 から求まる「V D =0. 37V」とし,回路の抵抗値を用いて式7の発振振幅を求めると「±1. 64V」と概算できます. ●AGCにコンデンサやJFETを使わない回路のシミュレーション 図7 は, 図6 のシミュレーション結果で,OUTの電圧をプロットしました.OUTの発振振幅は正弦波の発振で出力振幅は「±1. 87V」となり,式7を使った概算に近い出力電圧となります. 実際の回路では,R 2 の構成に可変抵抗を加えた抵抗とし,発振振幅を調整すると良いと思います. 図7 図6のシミュレーション結果 発振振幅は±1. 87V. 図8 は, 図7 のOUTの発振波形をFFTした結果です.発振周波数は式1の「R=10kΩ,C=0. 6kHz」となります. 図5 の結果と比べると3次高調波や5次高調波のクロスオーバひずみがありますが, 図1 のコンデンサとNチャネルJFETを使わなくても実用的な正弦波発振回路となります. 図8 図7のFFT結果(400ms~500ms間) ウィーン・ブリッジ発振回路は,発振振幅を制限する回路を入れないと電源電圧付近まで発振が成長して,波の頂点がクリップしたような発振波形になります. 図1 や 図6 のようにAGCを用いた回路で発振振幅を制限すると,ひずみが少ない正弦波発振回路となります. ■データ・ファイル 解説に使用しました,LTspiceの回路をダウンロードできます. ●データ・ファイル内容 :図1の回路 :図1のプロットを指定するファイル :図6の回路 :図6のプロットを指定するファイル ■LTspice関連リンク先 (1) LTspice ダウンロード先 (2) LTspice Users Club (3) トランジスタ技術公式サイト LTspiceの部屋はこちら (4) LTspice電子回路マラソン・アーカイブs (5) LTspiceアナログ電子回路入門・アーカイブs (6) LTspice電源&アナログ回路入門・アーカイブs (7) IoT時代のLTspiceアナログ回路入門アーカイブs (8) オームの法則から学ぶLTspiceアナログ回路入門アーカイブs
スマホアプリ 第五人格踊り子のオルゴールって、基本、ハンターに追われてる時は遅いオルゴールで、解読とかは速いオルゴールなんですか? スマホアプリ 楽天ミニの「楽天LINK」について同じような症状の人を探してます。 電話帳に相手の名前とフリガナ、電話番号等を登録してるのにも関わらず 電話を受ける際、着信画面に名前は表示されず、電話番号しか表示されません 着信が終わった後に通知が出ますがそこにはきっちり名前も出ます サポートセンターへ連絡しましたが「アプリは更新してるのか」「Wi-Fiは切っているか」「アプリをアンインストールしてくれ」のみ 全部やった上で相談しても何も改善されません 現在担当者間でたらい回しにされたままです もし同じような症状の方おられましたら「何をしたら直ったか」「そのまま放置して使い続けてる」など教えていただきたいです 本来なら画像の赤丸のところに名前が出るみたいなんです… よろしくお願いいたします! スマホアプリ もっと見る
バフは残HPの数値に依存するので、 星5まで開花させると全体バフが約4000程度(Lv184)まで上昇 しますね。 正月ペコリーヌ(ニューイヤー)の弱い点/使えない点 HP維持が前提のキャラクター HP割合が80%を切ると支援効果がなくなり、自身にバフも盛れない。高いHPを維持することでトップ層のキャラクターとなる能力構成なので、運用する場合は HPを維持するためのヒールキャラを組み合わせたい 。 自己回復を持たない 自身で回復できる手段はHP吸収ステータスによる攻撃のみ。また、正月ペコはダメージを受けると火力が落ちるので、 リカバリーしたいタイミングではHP吸収のみだと回復不足 になる。 クリティカルステが低い タンク系の装備なので基礎防御などが高い分、クリティカルステータスが低い。攻撃力は自身のバフで盛れるがクリバフは持たないので、敵レベルが上がるほどクリティカルの期待値が低くなる。 正月ペコリーヌ(ニューイヤー)の使い道/総合評価 HP維持ができる場面で優秀なアタッカー兼サポーター HP90%以上を維持できている場合は、アタッカーとして優秀なキャラクター。スキルでの防御ダウンや効果量の高い全体攻撃バフなど、支援効果も優秀になる。 ▲HP維持ができる状況下では十分高いダメージに期待できる。 Point! バフ効果は特に強力で、常に最大値をキープできている場合はトップクラスの支援役になります。 被ダメの少ない段階では特に強力 ボスの火力が低めな1~3段階目においてはHPを維持しやすい敵が多いため特に強力。1凸と持ち越し時間をあわせて2体のボスを討伐する 貫通ムーブのパーツとして重宝 する。 Point! 【モンスト】メメントモリ【超絶】攻略と適正キャラランキング - ゲームウィズ(GameWith). 4段階目のおいてもHP維持ができれば活躍の機会があります。 高い基礎防御が刺さるボスで 他のデバフ持ちアタッカーよりも優位に立っている部分は基礎防御力の高さ。クラバトボスの アルゲティ のような、ダメージは低いがHPが一定より下回るとデバフを付与する、といった能力を持つ敵は基礎防御力の高いキャラが運用しやすい。 正月ペコリーヌ(ニューイヤー)と相性の良いキャラ 才能開花はオススメ? 高HPを維持しないとスキル/UBの性能が下がってしまうため、開花で耐久力を上げておきたい。また、残りHPの量に応じて効果値の上がる物攻バフを持つため、開花で最大HPを増やすメリットも大きい。 才能開花の詳細とキャラ優先度 正月ペコリーヌ(ニューイヤー)の装備情報/ステータスボーナス 正月ペコリーヌ(ニューイヤー)の要求装備 Rank1~Rank16の要求装備はこちら ※装備アイコンをタップで、装備個別記事に移動できます!
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