7%。「知らないが、『いいね』数が非表示になった人」は7. 8%いた。合計で27. 5%が「いいね」数が非表示になったことを認識していた。 「いいね」数非表示後の変化についても聞いたところ、「特に変化はない」が54. 1%と約半数が変わらない一方で、「いいねがしやすくなった」(27. 5%)、「コメントがしやすくなった」(24. 8%)、「投稿がしやすくなった」(22. 9%)、「投稿の内容をより楽しめるようになった」(23. Instagramでの「いいね」数非表示テストに賛否両論(NEWSポストセブン) - goo ニュース. 9%)となった。実は、非表示の評判はなかなか好評なのだ。 さらに「いいね」数非表示化についてどう評価するか聞いたところ、「このまま非表示にしておいてほしい」(36. 7%)が「表示されるように戻してほしい」(18. 3%)を上回るなど、全体に非表示化は歓迎されていることがわかる。 ◆賛否が割れる「いいね」数非表示 筆者も非表示対象となっているが、どんな投稿が「いいね」が多いかまったくわからないのは、Instagramに関する記事を執筆する際に少々不便に感じる。Instagramでインフルエンサービジネスをしている知人も、自分の「いいね」数が活用できないので困っているようだ。 他にも、「自分は『がんばれ』とか『とても好き』ということを伝えたくて『いいね』をしていたから、単純に寂しい」という声もある。一方、「インスタ映えのために行動せずに良くなり、気楽になった」「純粋に気に入った写真に『いいね』ができるようになった」という歓迎する声も聞く。 Facebookでも今後、「いいね」数を非表示にするテストを検討中だという。テストがいつまで続くのか、正式採用されるかはわからない。しかし、自分の感覚主体で利用するのが元々の使い方であり、原点に帰った使い方をすべきときなのかもしれない。
「設定」をタップします。 3. 「プライバシー設定」をタップします。 4. 「投稿」をタップします。 5. 「いいね!数と閲覧数を非表示にする」のトグルを薄い青色のONにすることで、他の人の投稿のいいね数や閲覧数が非表示になります。 画像引用元&出典:Instagram
公開日時: 2019-12-09 19:35 更新日時: 2019-12-25 14:41 2019年5月から始まったInstagram(インスタグラム/インスタ)の「いいね!」数を非表示にするテストが、7月から日本を含む世界各地域に拡大。 さらに9月26日以降、テスト範囲がさらに広がり、対象となるユーザーが増えています。 あくまでもテストが目的とされていいますので、全てのユーザー対象ではないものの、皆さんの周囲にも、「いいね!」数が表示されなくなったアカウントがあるかもしれません。 どうして非表示テストを行っているのでしょうか? 「いいね!」数の非表示化はインスタの原点回帰!? 誰のいいねが見られなくなる?
ネットでお買い物するならノジマオンライン 人気記事ランキング 1位 マイナポイントはいつまで?どこがお得か比較!アプリの予約・登録方法を解説【2021年最新版】 2位 【2021年版】ニンテンドースイッチソフトの人気おすすめ42選|最新ゲームや大人や子供向けなど紹介 3位 快適なインターネット回線速度は?速度計測法や遅い時の対処方法を解説! 4位 エアコンの電気代はいくら?暖房や冷房、除湿、つけっぱなしの場合、節約方法を解説 5位 【2021年5月末終了】Googleフォトの容量無制限が有料化!代わりのサービスを比較
Instagram( インスタグラム)では7月19日に投稿された画像に対する「いいね」と動画再生回数を非表示にするテストを日本で実施することを発表しました。今年の5月にカナダで開始されたこのテストは、より多くの国と地域からフィードバックを収集する為、日本、オーストラリア、ブラジル、カナダ、アイルランド、イタリア、ニュージーランドの7カ国で実施が開始されました。今回のテストはユーザーに「いいね」の数ではなく、シェアする投稿の内容やインスタグラム上の「つながり」を重視してほしいというインスタグラムの狙いがあるようです。非表示になるのは他人の投稿の「いいね」数のみであり、自分自身の投稿は自分のみが見ることができます。(投稿上の「XXXさん他が『いいね!』しました」をタップすると、自分の投稿に付いた「いいね!」数と動画再生回数を確認できる)今回のこのテストでどのような反響があったのか、そして「 」的な今後の展望を予測しましたので、ぜひ最後までお読みください。 Instagram( インスタグラム)の公式Twitter インスタグラム ( instagram)が非表示についての公式告知 We want your friends to focus on the photos and videos you share, not how many likes they get. You can still see your own likes by tapping on the list of people who've liked it, but your friends will not be able to see how many likes your post has received.
インスタではいいね数を非表示にできる機能が実装されました。そこで、今回はいいね数を非表示にする複数の方法や注意点などについて解説していきます。 非表示にできることで、他の人や自分の投稿のいいね数を気にせず、気楽にインスタの投稿が行えるので、ぜひ試してほしい機能です。 インスタでいいね数を非表示にできる機能が実装! インスタでは、 2021年の4月からいいねの数を非表示にするテストを行っていました。テスト期間が終わり、ついに2021年5月下旬に正式に実装されています。 今まではいいね数が非表示になっていたので、いいね数を確認することは不可能でした。しかし、今回の正式実装により、いつでも自由にいいね数を表示・非表示へと切り替えられます。 いいね数の非表示機能は次のことが設定可能です。 全体のいいね数を非表示にできる 投稿別にいいね数を非表示にできる 投稿済みのコンテンツもいいね数を非表示にできる ちなみに、上記の設定方法には次のような違いがあります。 全体のいいね数を非表示にする場合は、いいね数が自分からは見えませんが、相手からは見えます 投稿別や投稿済みのコンテンツを非表示設定にすると、相手にはいいね数は見えません ※それぞれの非表示方法については後ほど詳しく解説します。 情報 ちなみに、Facebookでもいいね数を非表示にできるように機能が実装されました!
国-32-AM-52 電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。 a. MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。 b. FETはユニポーラトランジスタである。 c. FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。 d. FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。 e. FETは高入カインピーダンス素子である。 1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e 正答:4 分類:医用電気電気工学/電子工学/電子回路 類似問題を見る 国-30-AM-51 正しいのはどれか。 a. 理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。 b. バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 c. ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 d. FET のn形チャネルの多数キャリアは電子である。 e. CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。 正答:5 国-5-PM-20 誤っているのはどれか。 1. FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。 2. バイポーラトランジスタでは正孔と電子により電流が形成される。 3. ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。 4. トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。 5. FETは増幅素子のほか可変抵抗素子としても使われる。 正答:3 国-7-PM-9 2. 半導体でn型半導体ならば多数キャリアは電子少数キャリアは正孔、p型半- その他(教育・科学・学問) | 教えて!goo. バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。 5. FETは可変抵抗素子としても使われる。 国-26-AM-50 a. FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。 b. MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。 e. FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。 国-28-AM-53 a. CMOS回路は消費電力が少ない。 b. LEDはpn接合の構造をもつ。 c. FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。 d. 接合型FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。 e. バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e 正答:1 国-22-PM-52 トランジスタについて誤っているのはどれか。 1. FETのn形チャネルのキャリアは電子である。 2.
MOS-FET 3. 接合形FET 4. サイリスタ 5. フォトダイオード 正答:2 国-21-PM-13 半導体について正しいのはどれか。 a. 温度が上昇しても抵抗は変化しない。 b. 不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。 c. Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。 d. n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。 e. pn接合は発振作用を示す。 国-6-PM-23 a. バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。 b. FETを用いて論理回路は構成できない。 c. 演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。 d. 論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。 e. C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。 国-18-PM-12 トランジスタについて誤っているのはどれか。(電子工学) 1. インピーダンス変換回路はコレクタ接地で作ることができる。 2. FETは高入力インピーダンスの回路を実現できる。 3. FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。 4. MOSFETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。 5. FETはユニポーラトランジスタともいう。 国-27-AM-51 a. ホール効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 b. ダイオードのアノードにカソードよりも高い電圧を加えると電流は順方向に流れる。 c. p形半導体の多数牛ヤリアは電子である。 d. MOSFETの入力インピ-ダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。 e. 金属の導電率は温度が高くなると増加する。 国-8-PM-21 a. 金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。 b. pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。 c. 電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。 d. 少数キャリアとは - コトバンク. バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。 e. FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。 国-19-PM-16 図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想増幅器とする。(電子工学) a. 入力インピーダンスは大きい。 b. 入力と出力は逆位相である。 c. 反転増幅回路である。 d. 入力は正電圧でなければならない。 e. 入力電圧の1倍が出力される。 国-16-PM-12 1.
01 eV、 ボーア半径 = 4. 2 nm 程度であるため、結晶内の 原子間距離 0. 25 nm、室温での熱励起は約 0.
N型半導体の説明について シリコンは4個の価電子があり、周りのシリコンと1個ずつ電子を出し合っ... 合って共有結合している。 そこに価電子5個の元素を入れると、1つ電子が余り、それが多数キャリアとなって電流を運ぶ。 であってますか?... 解決済み 質問日時: 2020/5/14 19:44 回答数: 1 閲覧数: 31 教養と学問、サイエンス > サイエンス > 工学 少数キャリアと多数キャリアの意味がわかりません。 例えばシリコンにリンを添加したらキャリアは電... 電子のみで、ホウ素を添加したらキャリアは正孔のみではないですか? だとしたら少数キャリアと言われてる方は少数というより存在しないのではないでしょうか。... 解決済み 質問日時: 2019/8/28 6:51 回答数: 2 閲覧数: 104 教養と学問、サイエンス > サイエンス > 工学 半導体デバイスのPN接合について質問です。 N型半導体とP型半導体には不純物がそれぞれNd, N... Nd, Naの濃度でドープされているとします。 半導体が接合されていないときに、N型半導体とP型半導体の多数キャリア濃度がそれぞれNd, Naとなるのはわかるのですが、PN接合で熱平衡状態となったときの濃度もNd, N... 解決済み 質問日時: 2018/8/3 3:46 回答数: 2 閲覧数: 85 教養と学問、サイエンス > サイエンス > 工学 FETでは多数キャリアがSからDに流れるのですか? FETは基本的にユニポーラなので、キャリアは電子か正孔のいずれか一種類しか存在しません。 なので、多数キャリアという概念が無いです。 解決済み 質問日時: 2018/6/19 23:00 回答数: 1 閲覧数: 18 教養と学問、サイエンス > サイエンス > 工学 半導体工学について質問させてください。 空乏層内で光照射等によりキャリアが生成され電流が流れる... 流れる場合、その電流値を計算するときに少数キャリアのみを考慮するのは何故ですか? 教科書等には多数キャリアの濃度変化が無視できて〜のようなことが書いてありますが、よくわかりません。 少数キャリアでも、多数キャリアで... 解決済み 質問日時: 2016/7/2 2:40 回答数: 2 閲覧数: 109 教養と学問、サイエンス > サイエンス > 工学 ホール効果においてn型では電子、p型では正孔で考えるのはなぜですか?
工学/半導体工学 キャリア密度及びフェルミ準位 † 伝導帯中の電子密度 † 価電子帯の正孔密度 † 真性キャリア密度 † 真性半導体におけるキャリア密度を と表し、これを特に真性キャリア密度と言う。真性半導体中の電子及び正孔は対生成されるので、以下の関係が成り立つ。 上記式は不純物に関係なく熱平衡状態において一定であり、これを半導体の熱平衡状態における質量作用の法則という。また、この式に伝導体における電子密度及び価電子帯における正孔密度の式を代入すると、以下のようになる。 上記式から真性キャリア密度は半導体の種類(エネルギーギャップ)と温度のみによって定まることが分かる。 真性フェルミ準位 † 真性半導体における電子密度及び正孔密度 † 外因性半導体のキャリア密度 †
Heilは半導体抵抗を面電極によって制御する MOSFET に類似の素子の特許を出願した。半導体(Te 2 、I 2 、Co 2 O 3 、V 2 O 5 等)の両端に電極を取付け、その半導体上面に制御用電極を半導体ときわめて接近するが互いに接触しないように配置してこの電位を変化して半導体の抵抗を変化させることにより、増幅された信号を外部回路に取り出す素子だった。R. HilschとR. W. Pohlは1938年にKBr結晶とPt電極で形成した整流器のKBr結晶内に格子電極を埋め込んだ真空管の制御電極の構造を使用した素子構造で、このデバイスで初めて制御電極(格子電極として結晶内に埋め込んだ電極)に流した電流0. 02 mA に対して陽極電流の変化0. 4 mAの増幅を確認している。このデバイスは電子流の他にイオン電流の寄与もあって、素子の 遮断周波数 が1 Hz 程度で実用上は低すぎた [10] [8] 。 1938年に ベル研究所 の ウィリアム・ショックレー とA. Holdenは半導体増幅器の開発に着手した。 1941年頃に最初のシリコン内の pn接合 は Russell Ohl によって発見された。 1947年11月17日から1947年12月23日にかけて ベル研究所 で ゲルマニウム の トランジスタ の実験を試み、1947年12月16日に増幅作用が確認された [10] 。増幅作用の発見から1週間後の1947年12月23日がベル研究所の公式発明日となる。特許出願は、1948年2月26日に ウェスタン・エレクトリック 社によって ジョン・バーディーン と ウォルター・ブラッテン の名前で出願された [11] 。同年6月30日に新聞で発表された [10] 。この素子の名称はTransfer Resistorの略称で、社内で公募され、キャリアの注入でエミッターからコレクターへ電荷が移動する電流駆動型デバイスが入力と出力の間の転送(transfer)する抵抗(resistor)であることから、J.