図4 は, 図3 の時間軸を498ms~500ms間の拡大したプロットです. 図4 図3の時間軸を拡大(498ms? 500ms間) 図4 は,時間軸を拡大したプロットのため,OUTの発振波形が正弦波になっています.負側の発振振幅の最大値は,約「V GS =-1V」からD 1 がONする順方向電圧「V D1 =0. 37V」だけ下がった電圧となります.正側の最大振幅は,負側の電圧の極性が変わった値なので,発振振幅が「±(V GS -V D1)=±1. 37V」となります. 図5 は, 図3 のOUTの発振波形をFFTした結果です.発振周波数は式1の「R=10kΩ,C=0. 01μF」としたときの周波数「f o =1. 6kHz」となり,高調波ひずみが少ない正弦波の発振であることが分かります. 図5 図3のFFT結果(400ms~500ms間) ●AGCにコンデンサやJFETを使わない回路 図1 のAGCは,コンデンサやNチャネルJFETが必要でした.しかし, 図6 のようにダイオード(D 1 とD 2)のON/OFFを使って回路のゲインを「G=3」に自動で調整するウィーン・ブリッジ発振回路も使われています.ここでは,この回路のゲイン設定と発振振幅について検討します. 図6 AGCにコンデンサやJFETを使わない回路 図6 の回路でD 1 とD 2 がOFFとなる小さな発振振幅のときは,発振を成長させるために回路のゲインを「G 1 >3」にします.これより式2の条件が成り立ちます. 図6 では回路の抵抗値より「G 1 =3. 1」に設定しました. ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(2) 発振が成長してD 1 とD 2 がONするOUTの電圧になると,発振振幅を抑制するために回路のゲインを「G 2 <3」にします.D 1 とD 2 のオン抵抗を0Ωと仮定して計算を簡単にすると式3の条件となります. 図6 では回路の抵抗値より「G 2 =2. 8」に設定しました. ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(3) 次に発振振幅について検討します.発振を継続させるには「G=3」の条件なので,OPアンプの反転端子の電圧をv a とすると,発振振幅v out との関係は式4となります. ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(4) また,R 2 とR 5 の接続点の電圧をvbとすると,その電圧はv a にR 2 の電圧効果を加えた電圧なので,式5となります.
図2 (a)発振回路のブロック図 (b)ウィーン・ブリッジ発振回路の等価回路図 ●ウィーン・ブリッジ発振回路の発振周波数と非反転増幅器のゲインを計算する 解答では,具体的なインピーダンス値を使って求めましたが,ここでは一般式を用いて解説します. 図2(b) のウィーン・ブリッジ発振回路の等価回路図で,正帰還側の帰還率β(jω)は,RC直列回路のインピーダンス「Z a =R+1/jωC」と.RC並列回路のインピーダンス「Z b =R/(1+jωCR)」より,式7となり,整理すると式8となります. ・・・・・・・・・・・・・・・・・(7) ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(8) β(jω)の周波数特性を 図3 に示します. 図3 R=10kΩ,C=0. 01μFのβ(jω)周波数特性 中心周波数のゲインが1/3倍,位相が0° 帰還率β(jω)は,「ハイ・パス・フィルタ(HPF)」と「ロー・パス・フィルタ(LPF)」を組み合わせた「バンド・パス・フィルタ(BPF)」としての働きがあります.BPFの中心周波数より十分低い周波数の位相は,+90°であり,十分高い周波数の位相は-90°です.この間を周波数に応じて位相シフトします.式7において,BPFの中心周波数(ω)が「1/CR」のときの位相を確かめると,虚数部がゼロになり,ゆえに位相は0°となります.このときの帰還率のゲインは「|β(jω)|=1/3」となります.これは 図3 でも確認できます.また,発振させるためには「|G(jω)β(jω)|=1」が条件ですので,式6のように「G=3」が必要であることも分かります. 以上の特性を持つBPFが正帰還ループに入るため,ウィーン・ブリッジ発振器は「|G(jω)β(jω)|=1」かつ,位相が0°となるBPFの中心周波数(ω)が「1/CR」で発振します.また,ωは2πfなので「f=1/2πCR」となります. ●ウィーン・ブリッジ発振回路をLTspiceで確かめる 図4 は, 図1 のウィーン・ブリッジ発振回路をシミュレーションする回路で,R 4 の抵抗値を変数にし「. stepコマンド」で10kΩ,20kΩ,30kΩ,40kΩを切り替えています. 図4 図1をシミュレーションする回路 R 4 の抵抗値を変数にし,4種類の抵抗値でシミュレーションする 図5 は, 図4 のシミュレーション結果です.10kΩのときは非反転増幅器のゲイン(G)は2倍ですので「|G(jω)β(jω)|<1」となり,発振は成長しません.20kΩのときは「|G(jω)β(jω)|=1」であり,正弦波の発振波形となります.30kΩ,40kΩのときは「|G(jω)β(jω)|>1」となり,正帰還量が多いため,発振は成長し続けやがて,OPアンプの最大出力電圧で制限がかかり波形は歪みます.
図2 ウィーン・ブリッジ発振回路の原理 CとRによる帰還率(β)は,式1のBPFの中心周波数(fo)でゲインが1/3倍になります. ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(1) 正帰還の発振を継続させるための条件は,ループ・ゲインが「Gβ=1」です.なので,アンプのゲインは「G=3」に設定します. 図1 ではQ 1 のドレイン・ソース間の抵抗(R DS)を約100ΩになるようにAGCが動作し,OPアンプ(U 1)やR 1 ,R 2 ,R DS からなる非反転アンプのゲインが「G=1+R 1 /(R 2 +R DS)=3」になるように動作しています.発振周波数や帰還率の詳しい計算は「 LTspiceアナログ電子回路入門 ―― ウィーン・ブリッジ発振回路が適切に発振する抵抗値はいくら? 」を参照してください. ●AGC付きウィーン・ブリッジ発振回路のシミュレーション 図3 は, 図1 を過渡解析でシミュレーションした結果です. 図3 は時間0sからのOUTの発振波形の推移,Q 1 のV GS の推移(AGCラベルの電圧),Q 1 のドレイン電圧をドレイン電流で除算したドレイン・ソース間の抵抗(R DS)の推移をプロットしました. 図3 図2のシミュレーション結果 図3 の0s~20ms付近までQ 1 のV GS は,0Vです.Q 1 は,NチャネルJFETなので「V GS =0V」のときONとなり,ドレイン・ソース間の抵抗が「R DS =54Ω」となります.このとき,回路のゲインは「G=1+R 1 /(R 2 +R DS)=3. 02」となり,発振条件のループ・ゲインが1より大きい「Gβ>1」となるため発振が成長します. 発振が成長するとD 1 がONし,V GS はC 3 とR 5 で積分した負の電圧になります.V GS が負の電圧になるとNチャネルJFETに流れる電流が小さくなりR DS が大きくなります.この動作により回路のゲインが「G=3」になる「R DS =100Ω」の条件に落ち着き,負側の発振振幅の最大値は「V GS -V D1 」となります.正側の発振振幅のときD 1 はOFFとなり,C 3 によりQ 1 のゲート・ソース間は保持されて発振を継続するために適したゲインと最大振幅の条件を保ちます.このため正側の発振振幅の最大値は「-(V GS -V D1)」となります.
図5 図4のシミュレーション結果 20kΩのとき正弦波の発振波形となる. 図4 の回路で過渡解析の時間を2秒まで増やしたシミュレーション結果が 図6 です.このように長い時間でみると,発振は収束しています.原因は,先ほどの計算において,OPアンプを理想としているためです.非反転増幅器のゲインを微調整して,正弦波の発振を継続するのは意外と難しいため,回路の工夫が必要となります.この対策回路はいろいろなものがありますが,ここでは非反転増幅器のゲインを自動で調整する例について解説します. 図6 R 4 が20kΩで2秒までシミュレーションした結果 長い時間でみると,発振は収束している. ●AGC付きウィーン・ブリッジ発振回路 図7 は,ウィーン・ブリッジ発振回路のゲインを,発振出力の振幅を検知して自動でコントロールするAGC(Auto Gain Control)付きウィーン・ブリッジ発振回路の例です.ここでは動作が理解しやすいシンプルなものを選びました. 図4 と 図7 の回路を比較すると, 図7 は新たにQ 1 ,D 1 ,R 5 ,C 3 を追加しています.Q 1 はNチャネルのJFET(Junction Field Effect Transistor)で,V GS が0Vのときドレイン電流が最大で,V GS の負電圧が大きくなるほど(V GS <0V)ドレイン電流は小さくなります.このドレイン電流の変化は,ドレイン-ソース間の抵抗値(R DS)の変化にみえます.したがって非反転増幅器のゲイン(G)は「1+R 4 /(R 3 +R DS)」となります.Q 1 のゲート電圧は,D 1 ,R 5 ,C 3 により,発振出力を半坡整流し平滑した負の電圧です.これにより,発振振幅が小さなときは,Q 1 のR DS は小さく,非反転増幅器のゲインは「G>3」となって発振が早く成長するようになり,反対に発振振幅が成長して大きくなると,R DS が大きくなり,非反転増幅器のゲインが下がりAGCとして動作します. 図7 AGC付きウィーン・ブリッジ発振回路 ●AGC付きウィーン・ブリッジ発振回路の動作をシミュレーションで確かめる 図8 は, 図7 のシミュレーション結果で,ウィーン・ブリッジ発振回路の発振出力とQ 1 のドレイン-ソース間の抵抗値とQ 1 のゲート電圧をプロットしました.発振出力振幅が小さいときは,Q 1 のゲート電圧は0V付近にあり,Q 1 は電流を流すことから,ドレイン-ソース間の抵抗R DS は約50Ωです.この状態の非反転増幅器のゲイン(G)は「1+10kΩ/4.
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人類未踏の地へチャレンジする探検家(エクスプローラー)のために開発されたモデル。 初代より一貫したカレンダーさえ持たない究極のシンプルデザインは、いつの時代も多くのユーザーから愛され、エクスプローラーI のアイデンティティとなっている。 そのシンプルさから、TPOを選ばず幅広いシーンで着用でき、幅広い年齢層のユーザーから高い支持を獲得している。 また、1963年~1988年に製造された Ref. 1016 は、アンティーク・エクスプローラーI の傑作と評され、現在もデイリーユース可能な実用時計として人気を博している。 型番一覧 エクスプローラーI の歴史 1950年代初頭 ロレックス は、第二次世界大戦後の探検ブームに乗り、過酷な環境下でも最高のパフォーマンスを発揮できるプロフェッショナル・ウォッチの開発を進めていた。 1953年 探検家エドモンド・ヒラリー卿とテンジン・ノルゲイが、人類で初めてエベレスト登頂に成功した。同年、 ロレックス はこの歴史的な偉業を称え、探検家を意味する「エクスプローラー」を公式に発表した。 その後も精度と視認性に特化した試行錯誤を繰り返しながら、「冒険者のための時計」の開発を続ける。 1963年 エクスプローラーI のスタイリングはついに完成の域に達し、現在まで受け継がれる基本デザインとスペックを備えた Ref. ブランド時計/ロレックス ROLEX/エクスプローラー1│新品・中古ブランド品の販売・通販のロデオドライブ. 1016 が発表される。そして、約四半世紀に渡って生産されるロングセラーモデルとなる。 1990年 エクスプローラーI は、全面的にブラッシュアップが図られ、より現代的で実用的なモデルへと進化を遂げた。その後もモデルチェンジによって、性能面に加え、耐久性も見直されタフなアドベンチャー・ウォッチとして完成度を高めていく。 2010年 ケースの大型化が図られ、最新技術の投入により現代の環境に適したスペックアップを果たした。誕生以来繰り返される精度と視認性、そして耐久性へのチャレンジは、現在も脈々と受け継がれている。 エクスプローラーI の系譜 Ref. 6350 製造期間:1953年~1954年頃 搭載ムーブメント: Cal. A296 初めてエクスプローラーとして ロレックス の広告に掲載されたモデル。 長短針ともにペンシル針で Cal. A296 搭載の セミバブルバック 。ブラック文字盤のハニカムダイヤルが多い。 Ref.
124270 製造期間:2021年~現在 搭載ムーブメント:Cal. 3230 11年振りに伝統の36mm径ケースへ回帰したエクスプローラーI。旧型36mm径と比較して、「369」を含む各インデックスは拡大され、すべてにクロマライト夜光を塗布することで昼夜の視認性を向上させた。また、文字盤の6時位置に印字されるSWISSとMADEの間には王冠マークが追加された。ムーブメントは2020年に発表されたCal. 3230が搭載され、ロレックスの特許技術となるクロナジーエスケープメントを採用することで約70時間のロングパワーリザーブを実現している。 Ref. 124273 エクスプローラーIシリーズ初となるイエローロレゾールモデル。ベゼルやリューズ、ブレスレットのセンターリンクには18Kイエローゴールドが使用されており、ブレスレットはサテン仕上げのステンレス製サイドリンクとポリッシュ仕上げのセンターリンクで構成される。ステンレスモデルRef. 124270と同様、ラッカー仕上げの文字盤には王冠マークデザインを追加したSWISS表記が印字されており、新世代ムーブメントCal. ロレックス エクスプローラー I - EXPLORER I | Watchpedia. 3230を搭載している。
ちょっぴりけしからんアクションRPG? !【箱庭えくすぷろーらもあ】(Nintendo Switch) - YouTube
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